IRF1010E-60V 81A موسفيت TO-220

IRF1010E عبارة عن MOSFET محسّن للقناة N مصمم لتطبيقات التبديل عالية السرعة. كما أنه يتميز بمقاومة منخفضة. مثل جميع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET)، فإن IRF1010E عبارة عن جهاز يتم التحكم فيه بالجهد، ويتم تحديد حالة الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) بواسطة جهد البوابة.

دلائل الميزات:

عندما تحتاج إلى جهاز تحويل عالي السرعة لأحمال الطاقة المتوسطة، فإن IRF1010E، كما هو مذكور أعلاه، مصمم خصيصًا للتبديل عالي السرعة لأحمال الطاقة المتوسطة، مما يجعله شائعًا جدًا في هذه المناطق.

جهاز تبديل منخفض: يتمتع MOSFET بمقاومة تشغيل منخفضة جدًا، مما يؤدي إلى انخفاض منخفض جدًا أثناء حالة التشغيل. مع انخفاض منخفض، سيكون فقدان الطاقة MOSFET أقل. مع فقدان أقل للطاقة، ستكون كفاءة النظام أعلى. ولذلك، يفضل MOSFET للتطبيقات ذات الكفاءة العالية.