IRF530 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220

Der IRF530 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220 ist ein leistungsstarker, zuverlässiger und effizienter Leistungstransistor, der für eine breite Palette von Anwendungen entwickelt wurde. Er ist ideal für alle, die eine robuste und hochwertige Komponente für ihre elektronischen Geräte benötigen.

Hauptmerkmale

• Hochspannungsfähigkeit: Der IRF530 kann eine maximale Spannung von 100 V verarbeiten und ist daher für Hochspannungsanwendungen geeignet.
• Hohe Strombelastbarkeit: Mit einem kontinuierlichen Drainstrom von 14 A kann dieser Mosfet hohe Lasten bewältigen.
• Niedriger Einschaltwiderstand: Diese Funktion sorgt für minimalen Leistungsverlust und führt so zu einer höheren Effizienz.
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Der IRF530 bietet schnelle Schaltzeiten, was für Hochfrequenzanwendungen entscheidend ist.

Technische Spezifikationen

• Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
• Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 14 A
• Gepulster Drainstrom (Idm): 56 A
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ± 20 V
• Maximale Verlustleistung (Pd): 88 W
• Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C

Mögliche Anwendungen

• Schaltnetzteil (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Motorsteuerkreise
• Schnelles Umschalten der Stromversorgung
• Allgemeine Verstärkung und Schaltung