IRF630 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220

Der IRF630 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220 ist ein leistungsstarker, zuverlässiger und effizienter Leistungstransistor für eine Vielzahl von Anwendungen. Er ist in einem TO-220-Gehäuse untergebracht, das optimale Wärmeableitung und lange Haltbarkeit gewährleistet.

Hauptmerkmale

• Hochspannungsfähigkeit: Der IRF630 N-Kanal-Leistungs-MOSFET kann hohe Spannungspegel verarbeiten und ist daher für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen geeignet.
• Niedriger Einschaltwiderstand: Diese Funktion gewährleistet einen effizienten Betrieb und reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs.
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Der IRF630 N-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, die für Hochfrequenzanwendungen entscheidend ist.
• Langlebiges TO-220-Gehäuse: Das TO-220-Gehäuse bietet hervorragende thermische Eigenschaften und mechanische Haltbarkeit.

Technische Spezifikationen

• Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
• Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 9A
• Gepulster Drainstrom (Idm): 36 A
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ± 20 V
• Maximale Verlustleistung (Pd): 75 W

Mögliche Anwendungen

Der IRF630 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220 ist vielseitig und kann in einer breiten Palette von Anwendungen eingesetzt werden, darunter:

• Schaltnetzteil (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Motorsteuerkreise
• Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltkreise

Datasheet