IRF640 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220

Der IRF640 N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-220 ist ein leistungsstarker, zuverlässiger und effizienter Leistungstransistor, der für eine breite Palette von Anwendungen entwickelt wurde. Er eignet sich ideal für den Einsatz in Stromversorgungsschaltungen, Motorsteuerungssystemen und verschiedenen anderen elektronischen Geräten.

Hauptmerkmale

• Hohe Energieeffizienz: Gewährleistet optimale Leistung bei minimalem Leistungsverlust.
• Niedriger Einschaltwiderstand: Bietet hervorragende Leitfähigkeit für verbesserte Leistung.
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Ideal für Hochfrequenzanwendungen.
• Hohe Spannungsfestigkeit: Geeignet für den Einsatz in Hochspannungskreisen.
• Robustes TO-220-Gehäuse: Sorgt für Langlebigkeit und lang anhaltende Leistung.

Technische Spezifikationen

• Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
• Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 18 A
• Gepulster Drainstrom (Idm): 72 A
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20 V
• Maximale Verlustleistung (Pd): 125 W
• Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C

Mögliche Anwendungen

• Schaltnetzteile (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Motorsteuerungssysteme
• Hochfrequenz-Wechselrichter
• Allzweckverstärker

Datasheet