1N5819 Schottky-Diode (THT-Gehäuse)

Produktbeschreibung:

Die 1N5819 ist eine Hochleistungs-Schottky-Diode in einem Through-Hole Technology (THT)-Gehäuse. Sie wurde für die Anforderungen von Stromversorgungen, Gleichrichterschaltungen und allgemeinen elektronischen Anwendungen entwickelt und bietet einen geringen Durchlassspannungsabfall und schnelle Schaltzeiten, wodurch eine effiziente und zuverlässige Energieumwandlung gewährleistet wird.

Hauptmerkmale:

Maximaler Durchlassspannungsabfall (VF):0,45 V (bei 1 A Strom)
Maximaler Durchlassstrom (IF):1A
Schnelle Umschaltzeit:Typisch 35 ns
Hohe Zuverlässigkeit:Stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich (-55 °C bis +125 °C)
THT-Gehäusetyp (Through-Hole Technology):Einfache Montage und Löten
Geringer Spannungsverlust:Niedriger VF steigert die Energieeffizienz
Hohe Strombelastbarkeit:Trotz seiner kompakten Größe kann es hohe Ströme verarbeiten
Sperrspannungsfestigkeit:Gewährleistet einen sicheren Betrieb bei hoher Rückspannung