IRF1010E-60V 81A Mosfet TO-220

IRF1010E ist ein N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET, der für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde. Er verfügt außerdem über einen niedrigen Einschaltwiderstand. Wie alle MOSFETs ist der IRF1010E ein spannungsgesteuertes Gerät, und der Zustand des MOSFET wird durch die GATE-Spannung bestimmt.

Hauptmerkmale:

Wenn Sie ein Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für mittlere Leistungslasten benötigen, ist der IRF1010E, wie oben erwähnt, speziell für das Hochgeschwindigkeitsschalten mittlerer Leistungslasten konzipiert und daher in diesen Bereichen sehr beliebt.

Niedriges Schaltgerät:Der MOSFET hat einen sehr geringen Einschaltwiderstand, was zu einem sehr geringen Abfall während des Einschaltzustands führt. Bei geringem Abfall ist der Leistungsverlust des MOSFET geringer. Bei geringerem Leistungsverlust ist die Systemeffizienz höher. Daher wird der MOSFET für hocheffiziente Anwendungen bevorzugt.