IRF1010E-60V 81A Mosfet TO-220

IRF1010E es un MOSFET mejorado de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. También presenta una baja resistencia de encendido. Como todos los MOSFET, el IRF1010E es un dispositivo controlado por voltaje y el estado del MOSFET está determinado por el voltaje GATE.

Características clave:

Cuando necesita un dispositivo de conmutación de alta velocidad para cargas de potencia media, el IRF1010E, como se mencionó anteriormente, está diseñado específicamente para la conmutación de alta velocidad de cargas de potencia media, lo que lo hace muy popular en estas áreas.

Dispositivo de conmutación baja: El MOSFET tiene una resistencia de encendido muy baja, lo que resulta en una caída muy baja durante la condición de encendido. Con una caída baja, la pérdida de energía del MOSFET será menor. Con menos pérdida de energía, la eficiencia del sistema será mayor. Por lo tanto, se prefiere el MOSFET para aplicaciones de alta eficiencia.