IRF1010E-60V 81A Mosfet TO-220

IRF1010E è un MOSFET di potenziamento a canale N progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Presenta inoltre una bassa resistenza ON. Come tutti i MOSFET, l'IRF1010E è un dispositivo controllato in tensione e lo stato del MOSFET è determinato dalla tensione GATE.

Caratteristiche principali:

Quando è necessario un dispositivo di commutazione ad alta velocità per carichi di media potenza, l'IRF1010E, come menzionato sopra, è progettato specificamente per la commutazione ad alta velocità di carichi di media potenza, rendendolo molto popolare in queste aree.

Dispositivo di commutazione basso: Il MOSFET ha una resistenza all'accensione molto bassa, che si traduce in una caduta molto bassa durante la condizione ON. Con un calo basso, la perdita di potenza del MOSFET sarà inferiore. Con una minore perdita di potenza, l’efficienza del sistema sarà maggiore. Pertanto, il MOSFET è preferito per applicazioni ad alta efficienza.