IRF1010E-60V 81A Mosfet TO-220

IRF1010E é um MOSFET de aprimoramento de canal N projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele também apresenta uma baixa resistência ON. Como todos os MOSFETs, o IRF1010E é um dispositivo controlado por tensão e o estado do MOSFET é determinado pela tensão GATE.

Características principais:

Quando você precisa de um dispositivo de comutação de alta velocidade para cargas de potência média, o IRF1010E, como mencionado acima, é projetado especificamente para comutação de alta velocidade de cargas de potência média, tornando-o muito popular nessas áreas.

• Dispositivo de comutação baixa: O MOSFET possui uma resistência de ativação muito baixa, o que resulta em queda muito baixa durante a condição de ativação. Com queda baixa, a perda de potência do MOSFET será menor. Com menos perda de energia, a eficiência do sistema será maior. Portanto, o MOSFET é preferido para aplicações de alta eficiência.

Formulários:

• Basicamente qualquer aplicativo de comutação
• Unidades de controle de velocidade
• Sistemas de iluminação
• Aplicações PWM
• Drivers de relé
• Fonte de alimentação comutada

Especificações:

• Series: IRF
• Vdss: 60 V
• Eu ia: 81A
• Poder: 170 W
• Rds(ligado): 12mΩ
• Tipo de pacote: PARA-220